NTHL019N65S3H onsemi
Hersteller: onsemiMOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, FAST, 650 V, 75 A, 19.3 mohm, TO-247
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Technische Details NTHL019N65S3H onsemi
Description: ONSEMI - NTHL019N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 75 A, 0.015 ohm, TO-247LL, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 75A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 625W, Bauform - Transistor: TO-247LL, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SuperFET III, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote NTHL019N65S3H nach Preis ab 25.87 EUR bis 28.35 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||
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NTHL019N65S3H | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.3mOhm @ 37.5A, 10V Power Dissipation (Max): 625W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 14.3mA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Not For New Designs Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 282 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15993 pF @ 400 V |
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NTHL019N65S3H | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTHL019N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 75 A, 0.015 ohm, TO-247LL, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 625W Bauform - Transistor: TO-247LL Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SuperFET III productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
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| NTHL019N65S3H | Hersteller : ON Semiconductor |
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NTHL019N65S3H | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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NTHL019N65S3H | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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| NTHL019N65S3H | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 73A; Idm: 328A; 625W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 73A Pulsed drain current: 328A Power dissipation: 625W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 15mΩ Mounting: THT Gate charge: 282nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| NTHL019N65S3H | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 73A; Idm: 328A; 625W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 73A Pulsed drain current: 328A Power dissipation: 625W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 15mΩ Mounting: THT Gate charge: 282nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
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