![NTHL015N065SC1 NTHL015N065SC1](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/5e67e2ecef26f88e4b5f22381cb9a8a032963a00/nthl015n065sc1.jpg)
NTHL015N065SC1 ON Semiconductor
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
5+ | 33.22 EUR |
10+ | 27.56 EUR |
25+ | 26.23 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details NTHL015N065SC1 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NTHL015N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 163 A, 650 V, 0.012 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 163A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.63V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 643W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote NTHL015N065SC1 nach Preis ab 21.4 EUR bis 45.07 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
NTHL015N065SC1 | Hersteller : ON Semiconductor |
![]() |
auf Bestellung 425 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NTHL015N065SC1 | Hersteller : ON Semiconductor |
![]() |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NTHL015N065SC1 | Hersteller : ON Semiconductor |
![]() |
auf Bestellung 15300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NTHL015N065SC1 | Hersteller : onsemi |
![]() |
auf Bestellung 310 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NTHL015N065SC1 | Hersteller : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 163A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 75A, 18V Power Dissipation (Max): 643W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 25mA Supplier Device Package: TO-247-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +22V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 283 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4790 pF @ 325 V |
auf Bestellung 342 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NTHL015N065SC1 | Hersteller : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 163A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.63V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 643W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 403 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
NTHL015N065SC1 | Hersteller : ON Semiconductor |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |