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NTHD3101FT1G onsemi
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Description: MOSFET P-CH 20V 3.2A CHIPFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.2A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 10 V
auf Bestellung 2383 Stücke:
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Anzahl | Preis ohne MwSt |
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9+ | 2.11 EUR |
11+ | 1.73 EUR |
100+ | 1.35 EUR |
500+ | 1.14 EUR |
1000+ | 0.93 EUR |
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Technische Details NTHD3101FT1G onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 3.2A CHIPFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SMD, Flat Lead, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.2A, 4.5V, FET Feature: Schottky Diode (Isolated), Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: ChipFET™, Part Status: Last Time Buy, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 10 V.
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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NTHD3101FT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 7019 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTHD3101FT1G | Hersteller : ON |
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auf Bestellung 2838 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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NTHD3101FT1G | Hersteller : ON |
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auf Bestellung 41422 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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NTHD3101FT1G | Hersteller : ON |
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auf Bestellung 4102 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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NTHD3101FT1G | Hersteller : ONROHS |
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auf Bestellung 25888 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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NTHD3101FT1G | Hersteller : ONS |
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auf Bestellung 21500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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NTHD3101FT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 2220 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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NTHD3101FT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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Produkt ist nicht verfügbar |
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NTHD3101FT1G | Hersteller : ONSEMI |
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NTHD3101FT1G | Hersteller : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SMD, Flat Lead Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.2A, 4.5V FET Feature: Schottky Diode (Isolated) Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: ChipFET™ Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 10 V |
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