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NTH4L030N120M3S

NTH4L030N120M3S onsemi

NTH4L030N120M3S_D-3150229.pdf Hersteller: onsemi
MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 29 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-4L
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Technische Details NTH4L030N120M3S onsemi

Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET EL, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 30A, 18V, Power Dissipation (Max): 313W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 15mA, Supplier Device Package: TO-247-4L, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Vgs (Max): +22V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 800 V.

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NTH4L030N120M3S NTH4L030N120M3S Hersteller : onsemi nth4l030n120m3s-d.pdf Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET EL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 30A, 18V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 15mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 800 V
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NTH4L030N120M3S Hersteller : ON Semiconductor nth4l030n120m3s-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 73A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
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NTH4L030N120M3S Hersteller : ON Semiconductor nth4l030n120m3s-d.pdf Silicon Carbide (SiC) MOSFET
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