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NTH4L022N120M3S onsemi
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Description: SIC MOS TO247-4L 22MOHM 1200V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 40A, 18V
Power Dissipation (Max): 352W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3175 pF @ 800 V
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Anzahl | Preis ohne MwSt |
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Technische Details NTH4L022N120M3S onsemi
Description: ONSEMI - NTH4L022N120M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 68 A, 1.2 kV, 0.022 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 68A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.72V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 352W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: Fuse Kits, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote NTH4L022N120M3S nach Preis ab 20.33 EUR bis 42.12 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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NTH4L022N120M3S | Hersteller : onsemi |
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NTH4L022N120M3S | Hersteller : ON Semiconductor |
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NTH4L022N120M3S | Hersteller : ON Semiconductor |
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NTH4L022N120M3S | Hersteller : ON Semiconductor |
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NTH4L022N120M3S | Hersteller : ONSEMI |
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auf Bestellung 343 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTH4L022N120M3S | Hersteller : ON Semiconductor |
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