![NTGS3443T1G NTGS3443T1G](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/746/488%3B318G-02%3BSN%2CDT%3B6.jpg)
NTGS3443T1G onsemi
![ntgs3443t1-d.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET P-CH 20V 2.2A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 565 pF @ 5 V
auf Bestellung 4733 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
21+ | 0.84 EUR |
25+ | 0.72 EUR |
100+ | 0.5 EUR |
500+ | 0.39 EUR |
1000+ | 0.32 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details NTGS3443T1G onsemi
Description: ONSEMI - NTGS3443T1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.1 A, 0.058 ohm, TSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote NTGS3443T1G nach Preis ab 0.29 EUR bis 0.89 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
NTGS3443T1G | Hersteller : onsemi |
![]() |
auf Bestellung 43119 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NTGS3443T1G | Hersteller : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1804 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
![]() |
NTGS3443T1G | Hersteller : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1804 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
![]() |
NTGS3443T1G | Hersteller : ON Semiconductor |
![]() |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
NTGS3443T1G | Hersteller : ON-Semicoductor |
![]() Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 95 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
NTGS3443T1G | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.1A; 1W; TSOP6 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -3.1A Power dissipation: 1W Case: TSOP6 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: SMD Gate charge: 7.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
![]() |
NTGS3443T1G | Hersteller : ON Semiconductor |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
![]() |
NTGS3443T1G | Hersteller : ON Semiconductor |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
![]() |
NTGS3443T1G | Hersteller : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 565 pF @ 5 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
![]() |
NTGS3443T1G | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.1A; 1W; TSOP6 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -3.1A Power dissipation: 1W Case: TSOP6 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: SMD Gate charge: 7.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
Produkt ist nicht verfügbar |