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Technische Details NTGD1100LT1G onsemi
Category: Multi channel transistors, Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 8V; 2.4A; Idm: 10A; 430mW; TSOP6, Power dissipation: 0.43W, Case: TSOP6, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Drain-source voltage: 8V, Drain current: 2.4A, On-state resistance: 40mΩ, Type of transistor: N/P-MOSFET, Polarisation: unipolar, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±8V, Pulsed drain current: 10A, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote NTGD1100LT1G
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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| NTGD1100LT1G | Hersteller : ON |
 08+ DIP |
auf Bestellung 399 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| NTGD1100LT1G | Hersteller : ONSEMI |
2009 SC-74 |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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NTGD1100LT1G Produktcode: 187236 |
IC > IC Transistoren-Treiber Gehäuse: TSOP-6 Bemerkung: MOSFET 8V +/-3.3A P-Channel w/Level Shift |
Produkt ist nicht verfügbar
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NTGD1100LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 8V 3.3A 6-Pin SC-74 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| NTGD1100LT1G | Hersteller : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 8V; 2.4A; Idm: 10A; 430mW; TSOP6 Power dissipation: 0.43W Case: TSOP6 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 8V Drain current: 2.4A On-state resistance: 40mΩ Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 10A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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NTGD1100LT1G | Hersteller : onsemi |
Description: IC PWR DRIVER P-CHAN 1:1 6TSOP |
Produkt ist nicht verfügbar |
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NTGD1100LT1G | Hersteller : onsemi |
MOSFET 8V +/-3.3A P-Channel w/Level Shift |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| NTGD1100LT1G | Hersteller : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 8V; 2.4A; Idm: 10A; 430mW; TSOP6 Power dissipation: 0.43W Case: TSOP6 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 8V Drain current: 2.4A On-state resistance: 40mΩ Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 10A |
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