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NTF2955T1G onsemi
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Description: MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 492 pF @ 25 V
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1000+ | 0.82 EUR |
2000+ | 0.77 EUR |
5000+ | 0.73 EUR |
10000+ | 0.7 EUR |
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Technische Details NTF2955T1G onsemi
Description: ONSEMI - NTF2955T1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.6 A, 0.17 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 2.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: Fuse Kits, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote NTF2955T1G nach Preis ab 0.73 EUR bis 5.13 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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NTF2955T1G | Hersteller : onsemi |
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auf Bestellung 20329 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTF2955T1G | Hersteller : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 2.4A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 492 pF @ 25 V |
auf Bestellung 16613 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTF2955T1G | Hersteller : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 2.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: Fuse Kits productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 36985 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTF2955T1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 47000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTF2955T1G | Hersteller : ONS |
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auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTF2955T1G | Hersteller : ON-Semicoductor |
![]() Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NTF2955T1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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Produkt ist nicht verfügbar |
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NTF2955T1G | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2A; 2.3W; SOT223 Mounting: SMD Drain-source voltage: -60V Drain current: -2A On-state resistance: 0.185Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 2.3W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Case: SOT223 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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NTF2955T1G | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2A; 2.3W; SOT223 Mounting: SMD Drain-source voltage: -60V Drain current: -2A On-state resistance: 0.185Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 2.3W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Case: SOT223 |
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