NTE4151PT1G ON Semiconductor
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Technische Details NTE4151PT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NTE4151PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 760 mA, 0.26 ohm, SC-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 760mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 313mW, Bauform - Transistor: SC-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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NTE4151PT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET P-CH 20V 0.76A 3-Pin SC-89 T/R |
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NTE4151PT1G | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 20V 760MA SC89-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 760mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 350mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 313mW (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: SC-89-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±6V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 5 V |
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NTE4151PT1G | Hersteller : onsemi |
MOSFET -20V -760mA P-Channel |
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NTE4151PT1G | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 20V 760MA SC89-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 760mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 350mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 313mW (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: SC-89-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±6V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 5 V |
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NTE4151PT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTE4151PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 760 mA, 0.26 ohm, SC-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 760mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 313mW Bauform - Transistor: SC-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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NTE4151PT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTE4151PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 760 mA, 0.26 ohm, SC-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 760mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 313mW Bauform - Transistor: SC-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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NTE4151PT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 0.76A 3-Pin SC-89 T/R |
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NTE4151PT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 0.76A 3-Pin SC-89 T/R |
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NTE4151PT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 0.76A 3-Pin SC-89 T/R |
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NTE4151PT1G | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.76A; 313mW; SC89 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -0.76A Power dissipation: 313mW Case: SC89 Gate-source voltage: ±6V On-state resistance: 1Ω Mounting: SMD Gate charge: 2.1nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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NTE4151PT1G | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.76A; 313mW; SC89 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -0.76A Power dissipation: 313mW Case: SC89 Gate-source voltage: ±6V On-state resistance: 1Ω Mounting: SMD Gate charge: 2.1nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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