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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt | ||||||||||||
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NTE159 | Hersteller : NTE Electronics, Inc |
Description: TRANS PNP 80V 0.8A TO92 Packaging: Bag Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 10V Supplier Device Package: TO-92 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 625 mW |
auf Bestellung 2862 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTE159 | Hersteller : NTE Electronics |
Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 0.8A; 0.625W; TO92 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 0.8A Power dissipation: 0.625W Case: TO92 Current gain: 25...250 Mounting: THT Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NTE159 | Hersteller : NTE Electronics |
Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 0.8A; 0.625W; TO92 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 0.8A Power dissipation: 0.625W Case: TO92 Current gain: 25...250 Mounting: THT |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTE159 | Hersteller : NTE Electronics, Inc. | Trans GP BJT PNP 80V 0.8A 625mW 3-Pin TO-92 |
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KBP301G Produktcode: 192722 |
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KBJ1008 Produktcode: 192721 |
Produkt ist nicht verfügbar
2N3055 Produktcode: 189642 |
Hersteller: SPTECH
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-3
fT: 2,5 MHz
Uceo,V: 60 V
Ucbo,V: 100 V
Ic,A: 15 A
ZCODE: THT
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-3
fT: 2,5 MHz
Uceo,V: 60 V
Ucbo,V: 100 V
Ic,A: 15 A
ZCODE: THT
auf Bestellung 11 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)erwartet 60 Stück:
60 Stück - erwartet 05.10.20241N4007 Produktcode: 176822 |
Hersteller: MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-41
Urev.,V: 1000 V
Iausricht.,А: 1 A
Beschreibung: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-41
Urev.,V: 1000 V
Iausricht.,А: 1 A
Beschreibung: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
auf Bestellung 38895 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)erwartet 1000 Stück:
P6KE18A Produktcode: 31479 |
Hersteller: Vishay
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Suppressordioden (Schutzdioden, restriktive)
Gehäuse: DO-15
P, Wt: 600
U Durchbruch: 18
n: 15,3 V
n: 1 µA
n: Односпрямований
Монтаж: THT
№ 8: 8541100090
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Suppressordioden (Schutzdioden, restriktive)
Gehäuse: DO-15
P, Wt: 600
U Durchbruch: 18
n: 15,3 V
n: 1 µA
n: Односпрямований
Монтаж: THT
№ 8: 8541100090
auf Bestellung 761 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 0.32 EUR |
10+ | 0.29 EUR |