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NTD6416ANT4G

NTD6416ANT4G ON Semiconductor


ntd6416an-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Technische Details NTD6416ANT4G ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 100V 17A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 81mOhm @ 17A, 10V, Power Dissipation (Max): 71W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: DPAK, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V.

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NTD6416ANT4G NTD6416ANT4G Hersteller : ON Semiconductor ntd6416an-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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NTD6416ANT4G NTD6416ANT4G Hersteller : onsemi ntd6416an-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 81mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
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NTD6416ANT4G NTD6416ANT4G Hersteller : ON Semiconductor ntd6416an-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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NTD6416ANT4G NTD6416ANT4G Hersteller : onsemi NTD6416AN_D-2318592.pdf MOSFET NFET DPAK 100V 19A 96MO
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NTD6416ANT4G NTD6416ANT4G Hersteller : onsemi ntd6416an-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 81mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
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NTD6416ANT4G NTD6416ANT4G Hersteller : ON Semiconductor ntd6416an-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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NTD6416ANT4G Hersteller : ONSEMI ntd6416an-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11A; 71W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 11A
Power dissipation: 71W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 81mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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NTD6416ANT4G Hersteller : ONSEMI ntd6416an-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11A; 71W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 11A
Power dissipation: 71W
Case: DPAK
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On-state resistance: 81mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
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