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Technische Details NTD600N80S3Z onsemi
Description: ONSEMI - NTD600N80S3Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.55 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 60W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 60W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SUPERFET III, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.55ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm.
Weitere Produktangebote NTD600N80S3Z nach Preis ab 1.67 EUR bis 3.92 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
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NTD600N80S3Z | Hersteller : onsemi |
 Description: MOSFET POWER, N-CHANNEL, SUPERFE |
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NTD600N80S3Z | Hersteller : onsemi |
MOSFET SF3 800V 600MOHM, DPAK |
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NTD600N80S3Z | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTD600N80S3Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.55 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 60W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SUPERFET III productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm |
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NTD600N80S3Z | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTD600N80S3Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.55 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 60W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 60W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SUPERFET III productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.55ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm |
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NTD600N80S3Z | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK Reel |
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| NTD600N80S3Z | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5A; Idm: 21A; 60W; DPAK Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Power dissipation: 60W On-state resistance: 0.55Ω Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 15.5nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 21A Drain-source voltage: 800V Drain current: 5A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| NTD600N80S3Z | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5A; Idm: 21A; 60W; DPAK Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Power dissipation: 60W On-state resistance: 0.55Ω Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 15.5nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 21A Drain-source voltage: 800V Drain current: 5A |
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