NTD5C434NT4G ONSEMI
Hersteller: ONSEMIDescription: ONSEMI - NTD5C434NT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 160 A, 0.0017 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 160
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 120
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0017
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
auf Bestellung 3 Stücke:
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Technische Details NTD5C434NT4G ONSEMI
Description: ONSEMI - NTD5C434NT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 160 A, 0.0017 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 160, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 120, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4, euEccn: NLR, Verlustleistung: 120, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0017, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 175, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017, SVHC: Lead (17-Jan-2022).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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NTD5C434NT4G | Hersteller : onsemi |
MOSFET T6 40V SL IN DPAK |
auf Bestellung 2248 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTD5C434NT4G | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 23A; Idm: 900A; 2.4W; DPAK Mounting: SMD Pulsed drain current: 900A Power dissipation: 2.4W Gate charge: 80.6nC Polarisation: unipolar Drain current: 23A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 40V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Case: DPAK On-state resistance: 1.7mΩ Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| NTD5C434NT4G | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 23A; Idm: 900A; 2.4W; DPAK Mounting: SMD Pulsed drain current: 900A Power dissipation: 2.4W Gate charge: 80.6nC Polarisation: unipolar Drain current: 23A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 40V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Case: DPAK On-state resistance: 1.7mΩ |
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