NTD360N80S3Z onsemi
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Technische Details NTD360N80S3Z onsemi
Description: ONSEMI - NTD360N80S3Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 13 A, 0.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 13A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 96W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 96W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SuperFET III, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.3ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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| NTD360N80S3Z | Hersteller : ON Semiconductor |
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NTD360N80S3Z | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 800V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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NTD360N80S3Z | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 800V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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NTD360N80S3Z | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTD360N80S3Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 13 A, 0.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 96W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 96W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SuperFET III productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.3ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
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NTD360N80S3Z | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 800V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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NTD360N80S3Z | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTD360N80S3Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 13 A, 0.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 96W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SuperFET III productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
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| NTD360N80S3Z | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8.2A; Idm: 32.5A; 96W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 8.2A Pulsed drain current: 32.5A Power dissipation: 96W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.3Ω Mounting: SMD Gate charge: 25.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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NTD360N80S3Z | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 800V 13A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 300µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1143 pF @ 400 V |
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NTD360N80S3Z | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 800V 13A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 300µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1143 pF @ 400 V |
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| NTD360N80S3Z | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8.2A; Idm: 32.5A; 96W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 8.2A Pulsed drain current: 32.5A Power dissipation: 96W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.3Ω Mounting: SMD Gate charge: 25.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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