![NTD18N06LT4G NTD18N06LT4G](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/1069/DPAK_369C.jpg)
NTD18N06LT4G onsemi
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Description: MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 9A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 55W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 675 pF @ 25 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
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Anzahl | Preis ohne MwSt |
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2500+ | 0.77 EUR |
5000+ | 0.73 EUR |
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Technische Details NTD18N06LT4G onsemi
Description: ONSEMI - NTD18N06LT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 18 A, 0.054 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 55W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote NTD18N06LT4G nach Preis ab 0.73 EUR bis 1.92 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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NTD18N06LT4G | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 955 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTD18N06LT4G | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 955 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTD18N06LT4G | Hersteller : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 9A, 5V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 55W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 675 pF @ 25 V |
auf Bestellung 12476 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTD18N06LT4G | Hersteller : onsemi |
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auf Bestellung 3450 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTD18N06LT4G | Hersteller : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 55W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
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NTD18N06LT4G | Hersteller : ON Semiconductor |
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NTD18N06LT4G | Hersteller : ON Semiconductor |
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NTD18N06LT4G | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 10A; 55W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 10A Power dissipation: 55W Case: DPAK Gate-source voltage: ±15V On-state resistance: 65mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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NTD18N06LT4G | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 10A; 55W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 10A Power dissipation: 55W Case: DPAK Gate-source voltage: ±15V On-state resistance: 65mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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