NTA4151PT1G onsemi
Hersteller: onsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 760MA SC75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 760mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 350mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 301mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 5 V
auf Bestellung 132000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 0.13 EUR |
| 6000+ | 0.12 EUR |
| 9000+ | 0.11 EUR |
| 15000+ | 0.10 EUR |
| 21000+ | 0.10 EUR |
| 30000+ | 0.09 EUR |
| 75000+ | 0.09 EUR |
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Technische Details NTA4151PT1G onsemi
Description: ONSEMI - NTA4151PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 760 mA, 0.26 ohm, SC-75, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 760mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 450mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 301mW, Bauform - Transistor: SC-75, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote NTA4151PT1G nach Preis ab 0.15 EUR bis 0.77 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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NTA4151PT1G | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 20V 760MA SC75 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 760mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 350mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 301mW (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: SC-75, SOT-416 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±6V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 5 V |
auf Bestellung 137929 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTA4151PT1G | Hersteller : onsemi |
MOSFET -20V -760mA PChannel |
auf Bestellung 79098 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTA4151PT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTA4151PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 760 mA, 0.26 ohm, SC-75, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 760mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 450mV euEccn: NLR Verlustleistung: 301mW Bauform - Transistor: SC-75 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 84886 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTA4151PT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 0.76A 3-Pin SOT-416 T/R |
auf Bestellung 123000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTA4151PT1G | Hersteller : ONSEMI |
NTA4151PT1G SMD P channel transistors |
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