![NTA4001NT1G NTA4001NT1G](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/2573/SC-75-3_463.jpg)
NTA4001NT1G onsemi
![nta4001n-d.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N-CH 20V 238MA SC75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 238mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 300mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 5 V
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
3000+ | 0.11 EUR |
6000+ | 0.1 EUR |
9000+ | 0.087 EUR |
30000+ | 0.086 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details NTA4001NT1G onsemi
Description: ONSEMI - NTA4001NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 238 mA, 1.5 ohm, SC-75, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 238mA, hazardous: true, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SC-75, Anzahl der Pins: 3Pin(s), productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote NTA4001NT1G nach Preis ab 0.077 EUR bis 0.58 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
NTA4001NT1G | Hersteller : onsemi |
![]() |
auf Bestellung 47495 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NTA4001NT1G | Hersteller : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 238mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 300mW (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA Supplier Device Package: SC-75, SOT-416 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 5 V |
auf Bestellung 47849 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NTA4001NT1G | Hersteller : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 238mA hazardous: true rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SC-75 Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
![]() |
NTA4001NT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
![]() |
auf Bestellung 168000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
![]() |
NTA4001NT1G | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.238A; 0.3W; SC75 Case: SC75 Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: ESD protected gate Mounting: SMD Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.238A On-state resistance: 3.5Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.3W Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±10V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
![]() |
NTA4001NT1G | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.238A; 0.3W; SC75 Case: SC75 Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: ESD protected gate Mounting: SMD Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.238A On-state resistance: 3.5Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.3W Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±10V |
Produkt ist nicht verfügbar |