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NSVMMBTH81LT1G

NSVMMBTH81LT1G onsemi

mmbth81-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: SOT-23 PNP TRANSISTOR 20V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 225mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Frequency - Transition: 600MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
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Technische Details NSVMMBTH81LT1G onsemi

Description: SOT-23 PNP TRANSISTOR 20V, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power - Max: 225mW, Current - Collector (Ic) (Max): 50mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V, Frequency - Transition: 600MHz, Supplier Device Package: SOT-23, Part Status: Active.

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NSVMMBTH81LT1G NSVMMBTH81LT1G Hersteller : onsemi MMBTH81_D-3150179.pdf Bipolar Transistors - BJT SOT-23 PNP TRANSISTOR 20V
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NSVMMBTH81LT1G NSVMMBTH81LT1G Hersteller : onsemi mmbth81-d.pdf Description: SOT-23 PNP TRANSISTOR 20V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 225mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Frequency - Transition: 600MHz
Supplier Device Package: SOT-23
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