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NSVMMBTH10LT1G onsemi
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Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 225mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V
Frequency - Transition: 650MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
auf Bestellung 147000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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3000+ | 0.2 EUR |
6000+ | 0.18 EUR |
15000+ | 0.17 EUR |
30000+ | 0.16 EUR |
75000+ | 0.15 EUR |
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Technische Details NSVMMBTH10LT1G onsemi
Description: ONSEMI - NSVMMBTH10LT1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 25 V, 650 MHz, 300 mW, 999 A, SOT-23, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 999A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 650MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote NSVMMBTH10LT1G nach Preis ab 0.16 EUR bis 0.69 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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NSVMMBTH10LT1G | Hersteller : onsemi |
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auf Bestellung 5558 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSVMMBTH10LT1G | Hersteller : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 225mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V Frequency - Transition: 650MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active |
auf Bestellung 153143 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSVMMBTH10LT1G | Hersteller : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 999A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 650MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1612 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSVMMBTH10LT1G | Hersteller : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Dauer-Kollektorstrom: 999A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Anzahl der Pins: 3Pins Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V productTraceability: No Übergangsfrequenz: 650MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 1782 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSVMMBTH10LT1G | Hersteller : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 386000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSVMMBTH10LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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Produkt ist nicht verfügbar |
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NSVMMBTH10LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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