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NSVMMBT5551M3T5G

NSVMMBT5551M3T5G onsemi

mmbt5551m3-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 160V 0.06A SOT723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 265 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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Technische Details NSVMMBT5551M3T5G onsemi

Description: TRANS NPN 160V 0.06A SOT723, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-723, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V, Supplier Device Package: SOT-723, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 60 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V, Power - Max: 265 mW, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
NSVMMBT5551M3T5G Hersteller : onsemi MMBT5551M3_D-2315985.pdf Bipolar Transistors - BJT SOT-723 GP NPN TRANS
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NSVMMBT5551M3T5G NSVMMBT5551M3T5G Hersteller : ON Semiconductor mmbt5551m3-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.06A 640mW Automotive 3-Pin SOT-723 T/R
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NSVMMBT5551M3T5G NSVMMBT5551M3T5G Hersteller : onsemi mmbt5551m3-d.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.06A SOT723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 265 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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