NST3904DXV6T5G onsemi
Hersteller: onsemiDescription: TRANS 2NPN 40V 0.2A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-563
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 25+ | 0.7 EUR |
| 36+ | 0.49 EUR |
| 100+ | 0.25 EUR |
| 500+ | 0.22 EUR |
| 1000+ | 0.17 EUR |
| 2000+ | 0.15 EUR |
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Technische Details NST3904DXV6T5G onsemi
Description: ONSEMI - NST3904DXV6T5G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 40 V, 200 mA, 357 mW, tariffCode: 85412900, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 100hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 100hFE, Qualifikation: -, Verlustleistung, PNP: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -, Verlustleistung Pd: 357mW, Übergangsfrequenz, PNP: -, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-563, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 40V, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 357mW, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Zweifach npn, DC-Kollektorstrom: 200mA, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote NST3904DXV6T5G nach Preis ab 0.26 EUR bis 0.81 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||
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NST3904DXV6T5G | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 200mA 60V Dual Switching NPN |
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NST3904DXV6T5G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NST3904DXV6T5G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 40 V, 200 mA, 357 mW tariffCode: 85412900 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 100hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 100hFE Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Verlustleistung Pd: 357mW Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-563 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 40V Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 357mW productTraceability: No Wandlerpolarität: Zweifach npn DC-Kollektorstrom: 200mA Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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| NST3904DXV6T5G | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 6775 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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NST3904DXV6T5G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS 2NPN 40V 0.2A SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 200mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-563 |
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