NST3904DP6T5G onsemi
Hersteller: onsemiDescription: TRANS 2NPN 40V 0.2A SOT963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 350mW
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-963
Part Status: Active
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Technische Details NST3904DP6T5G onsemi
Description: ONSEMI - NST3904DP6T5G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 40 V, 200 mA, 350 mW, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 30hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 200MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 30hFE, Qualifikation: -, Verlustleistung, PNP: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -, Verlustleistung Pd: 350mW, Übergangsfrequenz, PNP: -, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-963, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 40V, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 350mW, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Zweifach npn, DC-Kollektorstrom: 200mA, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote NST3904DP6T5G nach Preis ab 0.11 EUR bis 0.62 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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NST3904DP6T5G | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT LESHAN DUAL NPN |
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NST3904DP6T5G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS 2NPN 40V 0.2A SOT963 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-963 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 350mW Current - Collector (Ic) (Max): 200mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-963 Part Status: Active |
auf Bestellung 10236 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NST3904DP6T5G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 420mW 6-Pin SOT-963 T/R |
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NST3904DP6T5G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NST3904DP6T5G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 40 V, 200 mA, 350 mW tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 30hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 200MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 30hFE Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Verlustleistung Pd: 350mW Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-963 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 40V Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 350mW productTraceability: No Wandlerpolarität: Zweifach npn DC-Kollektorstrom: 200mA Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
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