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NSS35200CF8T1G

NSS35200CF8T1G onsemi

nss35200cf8t1g-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 35V 2A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 20mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1.5A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: ChipFET™
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 35 V
Power - Max: 635 mW
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Technische Details NSS35200CF8T1G onsemi

Description: TRANS PNP 35V 2A CHIPFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 20mA, 2A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1.5A, 2V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: ChipFET™, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 35 V, Power - Max: 635 mW.

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NSS35200CF8T1G NSS35200CF8T1G Hersteller : Sanyo ONSMS20804-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS PNP 35V 2A CHIPFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 20mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1.5A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: ChipFET™
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 35 V
Power - Max: 635 mW
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NSS35200CF8T1G NSS35200CF8T1G Hersteller : onsemi nss35200cf8t1g-d.pdf Description: TRANS PNP 35V 2A CHIPFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 20mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1.5A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: ChipFET™
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 35 V
Power - Max: 635 mW
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NSS35200CF8T1G Hersteller : ON nss35200cf8t1g-d.pdf ONSMS20804-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw SSOP8
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NSS35200CF8T1G Hersteller : ON Semiconductor nss35200cf8t1g-d.pdf ONSMS20804-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
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NSS35200CF8T1G NSS35200CF8T1G Hersteller : onsemi NSS35200CF8T1G_D-2318435.pdf Bipolar Transistors - BJT 2A 35V Low VCEsat
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