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NSS1C300ET4G onsemi
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Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2.1 W
auf Bestellung 22500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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2500+ | 0.58 EUR |
5000+ | 0.56 EUR |
12500+ | 0.53 EUR |
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Technische Details NSS1C300ET4G onsemi
Description: ONSEMI - NSS1C300ET4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 33 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 50, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 3, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 33, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 4, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100, Betriebstemperatur, max.: 150, SVHC: Lead (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote NSS1C300ET4G nach Preis ab 0.56 EUR bis 1.41 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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NSS1C300ET4G | Hersteller : onsemi |
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auf Bestellung 4455 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS1C300ET4G | Hersteller : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 2.1 W |
auf Bestellung 28589 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NSS1C300ET4G | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 1863 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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NSS1C300ET4G | Hersteller : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100 rohsCompliant: Y-EX Verlustleistung: 33 euEccn: NLR DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Dauer-Kollektorstrom: 3 SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
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NSS1C300ET4G | Hersteller : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 50 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 3 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 33 Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 4 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
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NSS1C300ET4G | Hersteller : ON Semiconductor |
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NSS1C300ET4G | Hersteller : ON Semiconductor |
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