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NSS1C200LT1G

NSS1C200LT1G onsemi


nss1c200l-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 100V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 490 mW
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Technische Details NSS1C200LT1G onsemi

Description: TRANS PNP 100V 2A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 200mA, 2A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 2V, Frequency - Transition: 120MHz, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 490 mW.

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NSS1C200LT1G NSS1C200LT1G Hersteller : onsemi NSS1C200L_D-2318266.pdf Bipolar Transistors - BJT 100V LO VCE(SAT) TRA PNP
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NSS1C200LT1G NSS1C200LT1G Hersteller : onsemi nss1c200l-d.pdf Description: TRANS PNP 100V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 490 mW
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NSS1C200LT1G NSS1C200LT1G Hersteller : ON Semiconductor 387674346603852nss1c200l-d.pdf Trans GP BJT PNP 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
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