Produkte > ONSEMI > NSBC114EF3T5G
NSBC114EF3T5G

NSBC114EF3T5G onsemi


dtc114e-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
auf Bestellung 48000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
8000+0.096 EUR
16000+ 0.08 EUR
24000+ 0.078 EUR
Mindestbestellmenge: 8000
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details NSBC114EF3T5G onsemi

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-1123, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V, Supplier Device Package: SOT-1123, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 254 mW, Resistor - Base (R1): 10 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms.

Weitere Produktangebote NSBC114EF3T5G nach Preis ab 0.074 EUR bis 0.62 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
NSBC114EF3T5G NSBC114EF3T5G Hersteller : onsemi DTC114E_D-2311111.pdf Digital Transistors SOT-1123 NBRT TRNSTR
auf Bestellung 9306 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
5+0.61 EUR
10+ 0.42 EUR
100+ 0.17 EUR
1000+ 0.1 EUR
2500+ 0.095 EUR
8000+ 0.077 EUR
24000+ 0.074 EUR
Mindestbestellmenge: 5
NSBC114EF3T5G NSBC114EF3T5G Hersteller : onsemi dtc114e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1123
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-1123
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 254 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
auf Bestellung 53044 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
29+0.62 EUR
42+ 0.42 EUR
100+ 0.21 EUR
500+ 0.17 EUR
1000+ 0.12 EUR
2000+ 0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 29
NSBC114EF3T5G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0005578160-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - NSBC114EF3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSBC114EF3T5G NSBC114EF3T5G Hersteller : ON Semiconductor 473703159066984dtc114e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R
Produkt ist nicht verfügbar