Produkte > ONSEMI > NSBA114TDP6T5G
NSBA114TDP6T5G

NSBA114TDP6T5G onsemi

dta114td-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT963
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 408mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
auf Bestellung 4890 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
30+0.6 EUR
38+ 0.47 EUR
100+ 0.28 EUR
500+ 0.26 EUR
1000+ 0.18 EUR
2000+ 0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details NSBA114TDP6T5G onsemi

Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT963, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-963, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 408mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V, Resistor - Base (R1): 10kOhms, Supplier Device Package: SOT-963.

Weitere Produktangebote NSBA114TDP6T5G

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
NSBA114TDP6T5G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0003157575-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - NSBA114TDP6T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 296000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSBA114TDP6T5G NSBA114TDP6T5G Hersteller : ON Semiconductor nsba114edp6.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSBA114TDP6T5G NSBA114TDP6T5G Hersteller : ON Semiconductor nsba114edp6.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSBA114TDP6T5G NSBA114TDP6T5G Hersteller : onsemi dta114td-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 408mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
Produkt ist nicht verfügbar
NSBA114TDP6T5G Hersteller : onsemi DTA114TD_D-2310716.pdf Digital Transistors DUAL PBRT
Produkt ist nicht verfügbar