NJT4031NT1G ON Semiconductor
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Technische Details NJT4031NT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NJT4031NT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), AEC-Q101, NPN, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 100, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 3, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 215, Betriebstemperatur, max.: 150, SVHC: Lead (17-Jan-2023).
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NJT4031NT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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NJT4031NT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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NJT4031NT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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NJT4031NT1G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 40V 3A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V Frequency - Transition: 215MHz Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 2 W |
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NJT4031NT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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NJT4031NT1G | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT NPN 40V LO SAT BP |
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NJT4031NT1G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 40V 3A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V Frequency - Transition: 215MHz Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 2 W |
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NJT4031NT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NJT4031NT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), AEC-Q101, NPN, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 100 Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 3 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2 Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 215 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
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NJT4031NT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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NJT4031NT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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NJT4031NT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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