Produkte > ON SEMICONDUCTOR > NJD1718T4G
NJD1718T4G

NJD1718T4G ON Semiconductor


njd1718-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 50V 2A 1680mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2500+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details NJD1718T4G ON Semiconductor

Description: TRANS PNP 50V 2A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V, Frequency - Transition: 80MHz, Supplier Device Package: DPAK, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 1.68 W.

Weitere Produktangebote NJD1718T4G nach Preis ab 0.32 EUR bis 0.97 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
NJD1718T4G NJD1718T4G Hersteller : onsemi njd1718-d.pdf Description: TRANS PNP 50V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.68 W
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2500+0.37 EUR
5000+ 0.35 EUR
12500+ 0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
NJD1718T4G NJD1718T4G Hersteller : onsemi njd1718-d.pdf Description: TRANS PNP 50V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.68 W
auf Bestellung 15431 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
19+0.97 EUR
21+ 0.84 EUR
100+ 0.58 EUR
500+ 0.49 EUR
1000+ 0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 19
NJD1718T4G NJD1718T4G Hersteller : ON Semiconductor NJD1718-D-113924.pdf Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR DPAK 50V
auf Bestellung 4873 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
NJD1718T4G Hersteller : ON Semiconductor njd1718-d.pdf
auf Bestellung 2370 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NJD1718T4G NJD1718T4G Hersteller : ON Semiconductor njd1718-d.pdf Trans GP BJT PNP 50V 2A 1680mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NJD1718T4G NJD1718T4G Hersteller : ON Semiconductor njd1718-d.pdf Trans GP BJT PNP 50V 2A 1680mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar