NE662M04-T2-A CEL
Hersteller: CELDescription: SAME AS 2SC5508 NPN SILICON AMPL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 17dB
Power - Max: 115mW
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3.3V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 2V
Frequency - Transition: 25GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 2GHz
Supplier Device Package: M04
Part Status: Last Time Buy
auf Bestellung 135000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 3000+ | 3.52 EUR |
| 15000+ | 2.46 EUR |
| 60000+ | 1.41 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details NE662M04-T2-A CEL
Description: SAME AS 2SC5508 NPN SILICON AMPL, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-343F, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Gain: 17dB, Power - Max: 115mW, Current - Collector (Ic) (Max): 35mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3.3V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 2V, Frequency - Transition: 25GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 2GHz, Supplier Device Package: M04, Part Status: Last Time Buy.
Weitere Produktangebote NE662M04-T2-A
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
|---|---|---|---|---|---|
| NE662M04-T2-A |
|
auf Bestellung 126000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
|||
| NE662M04-T2-A | Hersteller : Renesas |
Trans RF BJT NPN 3.3V 0.035A 115mW 4-Pin Thin-Type Super Mini-Mold T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
||
 |
NE662M04-T2-A | Hersteller : CEL |
RF Bipolar Transistors NPN High Frequency |
Produkt ist nicht verfügbar |