Technische Details NE4210S01 NEC
Description: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V SMD, Packaging: Strip, Package / Case: 4-SMD, Current Rating (Amps): 15mA, Frequency: 12GHz, Gain: 13dB, Technology: GaAs HJ-FET, Noise Figure: 0.5dB, Supplier Device Package: SMD, Voltage - Rated: 4 V, Voltage - Test: 2 V, Current - Test: 10 mA.
Weitere Produktangebote NE4210S01
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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NE4210S01 Produktcode: 116991 |
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP |
Produkt ist nicht verfügbar
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| NE4210S01 | Hersteller : CEL |
Description: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V SMD Packaging: Strip Package / Case: 4-SMD Current Rating (Amps): 15mA Frequency: 12GHz Gain: 13dB Technology: GaAs HJ-FET Noise Figure: 0.5dB Supplier Device Package: SMD Voltage - Rated: 4 V Voltage - Test: 2 V Current - Test: 10 mA |
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NE4210S01 | Hersteller : CEL |
 RF JFET Transistors Super Lo Noise HJFET |
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| NE4210S01 | Hersteller : Renesas Electronics | Renesas Electronics |
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