NDSH20120C onsemi
Hersteller: onsemiSchottky Diodes & Rectifiers Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode - EliteSiC, 20 A, 1200 V, D3, TO-247-2L
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| 1+ | 15.7 EUR |
| 10+ | 13.45 EUR |
| 100+ | 12.21 EUR |
| 250+ | 9.91 EUR |
| 450+ | 9.89 EUR |
| 900+ | 8.89 EUR |
| 2700+ | 8.57 EUR |
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Technische Details NDSH20120C onsemi
Description: ONSEMI - NDSH20120C - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, Einfach, 1.2 kV, 20 A, 100 nC, TO-247, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-247, Kapazitive Gesamtladung: 100nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: PW Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
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Preis ohne MwSt |
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NDSH20120C | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NDSH20120C - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, Einfach, 1.2 kV, 20 A, 100 nC, TO-247 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 100nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
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NDSH20120C | Hersteller : onsemi |
Description: SIC DIODE GEN2.0 1200V TO |
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