NDSH10170A onsemi
Hersteller: onsemiDescription: DIODE SIL CARB 1.7KV 16A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 856pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1700 V
auf Bestellung 463 Stücke:
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Technische Details NDSH10170A onsemi
Description: DIODE SIL CARB 1.7KV 16A TO247-2, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 856pF @ 1V, 100kHz, Current - Average Rectified (Io): 16A, Supplier Device Package: TO-247-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1700 V.
Weitere Produktangebote NDSH10170A nach Preis ab 8.55 EUR bis 17.2 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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NDSH10170A | Hersteller : onsemi |
Schottky Diodes & Rectifiers Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode - EliteSiC, 10 A, 1700 V, D1, TO-247-2L |
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| NDSH10170A | Hersteller : ON Semiconductor |
Silicon Carbide Schottky Diode 1700V, 10A, TO247 |
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