NCD57090EDWR2G onsemi
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Description: DGTL ISO 5KV 1CH GATE DVR 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Peak Output: 6.5A
Technology: Capacitive Coupling
Current - Output High, Low: 6.5A, 6.5A
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: VDE
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 13ns, 13ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 100kV/µs (Max)
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 90ns, 90ns
Pulse Width Distortion (Max): 25ns
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 0V ~ 32V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1000+ | 2.4 EUR |
2000+ | 2.31 EUR |
5000+ | 2.24 EUR |
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Technische Details NCD57090EDWR2G onsemi
Description: ONSEMI - NCD57090EDWR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Nicht invertierend, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 6.5, Treiberkonfiguration: Nicht invertierend, Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, hazardous: false, IC-Gehäuse / Bauform: SOIC, Eingang: Logik-ICs, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 1, Betriebstemperatur, min.: -65, Quellstrom: 6.5, Versorgungsspannung, min.: 3.3, euEccn: NLR, Bauform - Treiber: SOIC, Anzahl der Pins: 8, Produktpalette: NCx57090y, Versorgungsspannung, max.: 15, Eingabeverzögerung: 60, Ausgabeverzögerung: 60, Betriebstemperatur, max.: 150, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote NCD57090EDWR2G nach Preis ab 2.41 EUR bis 4.77 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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NCD57090EDWR2G | Hersteller : onsemi |
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NCD57090EDWR2G | Hersteller : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Current - Peak Output: 6.5A Technology: Capacitive Coupling Current - Output High, Low: 6.5A, 6.5A Voltage - Isolation: 5000Vrms Approval Agency: VDE Supplier Device Package: 8-SOIC Rise / Fall Time (Typ): 13ns, 13ns Common Mode Transient Immunity (Min): 100kV/µs (Max) Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 90ns, 90ns Pulse Width Distortion (Max): 25ns Part Status: Active Number of Channels: 1 Voltage - Output Supply: 0V ~ 32V |
auf Bestellung 10229 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NCD57090EDWR2G | Hersteller : ONSEMI |
![]() Sinkstrom: 6.5 Treiberkonfiguration: Nicht invertierend Leistungsschalter: IGBT, MOSFET Eingang: Logik-ICs Anzahl der Kanäle: 1 Betriebstemperatur, min.: -65 Quellstrom: 6.5 Versorgungsspannung, min.: 3.3 Bauform - Treiber: SOIC Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: NCx57090y Versorgungsspannung, max.: 15 Eingabeverzögerung: 60 Ausgabeverzögerung: 60 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
auf Bestellung 41 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NCD57090EDWR2G | Hersteller : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 6.5 Treiberkonfiguration: Nicht invertierend Leistungsschalter: IGBT, MOSFET hazardous: false IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Logik-ICs usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1 Betriebstemperatur, min.: -65 Quellstrom: 6.5 Versorgungsspannung, min.: 3.3 euEccn: NLR Bauform - Treiber: SOIC Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: NCx57090y Versorgungsspannung, max.: 15 Eingabeverzögerung: 60 Ausgabeverzögerung: 60 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 41 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NCD57090EDWR2G | Hersteller : ON Semiconductor |
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