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NCD57090BDWR2G ON Semiconductor
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Technische Details NCD57090BDWR2G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NCD57090BDWR2G - Gate-Treiber, 1 Kanal, isoliert, IGBT, MOSFET, 8 Pins, WSOIC, invertierend, nicht invertierend, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 6.5A, Treiberkonfiguration: isoliert, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC, Eingang: Invertierend, nicht invertierend, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 1Channels, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 6.5A, Versorgungsspannung, min.: 3.1V, euEccn: NLR, Bauform - Treiber: WSOIC, Gate-Treiber: Isoliert, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 20V, Eingabeverzögerung: 60ns, Ausgabeverzögerung: 60ns, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote NCD57090BDWR2G nach Preis ab 1.83 EUR bis 5.03 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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NCD57090BDWR2G | Hersteller : ON Semiconductor |
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NCD57090BDWR2G | Hersteller : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Current - Peak Output: 6.5A Technology: Capacitive Coupling Current - Output High, Low: 6.5A, 6.5A Voltage - Isolation: 5000Vrms Approval Agency: VDE Supplier Device Package: 8-SOIC Rise / Fall Time (Typ): 13ns, 13ns Common Mode Transient Immunity (Min): 100kV/µs Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 90ns, 90ns Part Status: Active Number of Channels: 1 Voltage - Output Supply: 0V ~ 32V |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NCD57090BDWR2G | Hersteller : onsemi |
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NCD57090BDWR2G | Hersteller : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Current - Peak Output: 6.5A Technology: Capacitive Coupling Current - Output High, Low: 6.5A, 6.5A Voltage - Isolation: 5000Vrms Approval Agency: VDE Supplier Device Package: 8-SOIC Rise / Fall Time (Typ): 13ns, 13ns Common Mode Transient Immunity (Min): 100kV/µs Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 90ns, 90ns Part Status: Active Number of Channels: 1 Voltage - Output Supply: 0V ~ 32V |
auf Bestellung 2987 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NCD57090BDWR2G | Hersteller : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 6.5A Treiberkonfiguration: isoliert rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC Eingang: Invertierend, nicht invertierend MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Channels Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 6.5A Versorgungsspannung, min.: 3.1V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 60ns Ausgabeverzögerung: 60ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1472 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NCD57090BDWR2G | Hersteller : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 6.5A Treiberkonfiguration: isoliert rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC Eingang: Invertierend, nicht invertierend MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Channels Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 6.5A Versorgungsspannung, min.: 3.1V euEccn: NLR Bauform - Treiber: WSOIC Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 60ns Ausgabeverzögerung: 60ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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NCD57090BDWR2G | Hersteller : ON Semiconductor |
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