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Technische Details N0602N-S19-AY Renesas Electronics
Description: RENESAS - N0602N-S19-AY - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0037 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 156W, Anzahl der Pins: 3Pin(s), productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt |
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N0602N-S19-AY | Hersteller : RENESAS |
 Description: RENESAS - N0602N-S19-AY - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0037 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 156W Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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| N0602N-S19-AY | Hersteller : Renesas Electronics America |
Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO-220 |
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