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Technische Details MURS360-E3/9AT Vishay
Description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-214AB, SMC, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 75 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 3A, Supplier Device Package: DO-214AB (SMC), Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.28 V @ 3 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V.
Weitere Produktangebote MURS360-E3/9AT nach Preis ab 0.3 EUR bis 1.09 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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MURS360-E3/9AT | Hersteller : Vishay |
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MURS360-E3/9AT | Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AB, SMC Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-214AB (SMC) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.28 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V |
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MURS360-E3/9AT | Hersteller : Vishay General Semiconductor |
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MURS360-E3/9AT | Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AB, SMC Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-214AB (SMC) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.28 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V |
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MURS360-E3/9AT | Hersteller : Vishay |
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MURS360-E3/9AT | Hersteller : Vishay |
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