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Technische Details MURA220T3G onsemi
Description: ONSEMI - MURA220T3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 2 A, Einfach, 950 mV, 35 ns, 40 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-214AC (SMA), Durchlassstoßstrom: 40A, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: AEC-Q101, Durchlassspannung, max.: 950mV, Sperrverzögerungszeit: 35ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: MURA2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote MURA220T3G
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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MURA220T3G | Hersteller : ONSEMI |
 Description: ONSEMI - MURA220T3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 2 A, Einfach, 950 mV, 35 ns, 40 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 40A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 950mV Sperrverzögerungszeit: 35ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: MURA2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
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MURA220T3G | Hersteller : ON Semiconductor |
Rectifier Diode Switching 200V 2A 35ns 2-Pin SMA T/R |
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MURA220T3G | Hersteller : ON Semiconductor |
Rectifier Diode Switching 200V 2A 35ns 2-Pin SMA T/R |
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MURA220T3G | Hersteller : ON Semiconductor |
Diode Switching 200V 2A 2-Pin SMA T/R |
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MURA220T3G | Hersteller : ON Semiconductor |
Diode Switching 200V 2A 2-Pin SMA T/R |
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MURA220T3G | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 2A; 35ns; SMA; Ufmax: 950mV; Ifsm: 40A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 200V Load current: 2A Reverse recovery time: 35ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: ultrafast switching Max. forward voltage: 0.95V Case: SMA Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 40A Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
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MURA220T3G | Hersteller : onsemi |
Description: DIODE GEN PURP 200V 2A SMA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: SMA Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 200 V |
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MURA220T3G | Hersteller : onsemi |
Description: DIODE GEN PURP 200V 2A SMA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: SMA Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 200 V |
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MURA220T3G | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 2A; 35ns; SMA; Ufmax: 950mV; Ifsm: 40A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 200V Load current: 2A Reverse recovery time: 35ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: ultrafast switching Max. forward voltage: 0.95V Case: SMA Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 40A |
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