MUR4100ERLG

MUR4100ERLG ON


mur480e-d.pdf
Produktcode: 2526
Hersteller: ON
Gehäuse: DO-201
Vrr, V: 1000
Iav, A: 4
Trr, ns: 75
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MUR4100ERLG MUR4100ERLG Hersteller : ON Semiconductor mur480e-d.pdf Diode Switching 1KV 4A 2-Pin DO-201AD T/R
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MUR4100ERLG MUR4100ERLG Hersteller : ON Semiconductor mur480e-d.pdf Diode Switching 1KV 4A 2-Pin DO-201AD T/R
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MUR4100ERLG MUR4100ERLG Hersteller : ONSEMI MUR4100EG.PDF Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 4A; reel; Ifsm: 70A; CASE267-05; 75ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Kind of package: reel
Max. forward impulse current: 70A
Case: CASE267-05
Max. forward voltage: 1.85V
Reverse recovery time: 75ns
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79+ 0.92 EUR
85+ 0.84 EUR
105+ 0.68 EUR
151+ 0.47 EUR
160+ 0.45 EUR
1000+ 0.44 EUR
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MUR4100ERLG MUR4100ERLG Hersteller : ONSEMI MUR4100EG.PDF Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 4A; reel; Ifsm: 70A; CASE267-05; 75ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Kind of package: reel
Max. forward impulse current: 70A
Case: CASE267-05
Max. forward voltage: 1.85V
Reverse recovery time: 75ns
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MUR4100ERLG MUR4100ERLG Hersteller : ON Semiconductor mur480e-d.pdf Diode Switching 1KV 4A 2-Pin DO-201AD T/R
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MUR4100ERLG MUR4100ERLG Hersteller : ON Semiconductor mur480e-d.pdf Diode Switching 1KV 4A 2-Pin DO-201AD T/R
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MUR4100ERLG MUR4100ERLG Hersteller : onsemi MUR480E_D-2316169.pdf Rectifiers 1000V 4A UltraFast
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MUR4100ERLG MUR4100ERLG Hersteller : ON Semiconductor mur480e-d.pdf Rectifier Diode Switching 1KV 4A 100ns 2-Pin DO-201AD T/R
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MUR4100ERLG MUR4100ERLG Hersteller : ONSEMI 1708325.pdf Description: ONSEMI - MUR4100ERLG - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 1 kV, 4 A, Einfach, 1.85 V, 75 ns, 70 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-201AD
Durchlassstoßstrom: 70A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.85V
Sperrverzögerungszeit: 75ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MUR41
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
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MUR4100ERLG Hersteller : On Semiconductor mur480e-d.pdf Ultrafast 4.0A 1000V 75ns DO-201AD
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MUR4100ERLG MUR4100ERLG Hersteller : ON Semiconductor mur480e-d.pdf Diode Switching 1KV 4A 2-Pin DO-201AD T/R
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MUR4100ERLG MUR4100ERLG Hersteller : onsemi mur480e-d.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 4A AXIAL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: Axial
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1000 V
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 4
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 1000
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MUR4100ERLG MUR4100ERLG Hersteller : onsemi mur480e-d.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 4A AXIAL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: Axial
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1000 V
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 4
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 1000
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UC3845BN
Produktcode: 4328
CD00000966-105506.pdf
UC3845BN
Hersteller: ST
IC > IC Netzteile
Gehäuse: DIP-8
Eigenschaften: PWM Controllers
Spannung, eing., V: 8.2...30V
I-ausg., A: 1,0A
Fosc, kHz: 500
Temperaturbereich: -40...+150°C
verfügbar: 175 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
1+1.06 EUR
10+ 0.84 EUR
100+ 0.73 EUR
UF4007 Dioden superschnelle 75ns neu
Produktcode: 17804
description UF4001-4007.pdf
UF4007 Dioden superschnelle 75ns neu
Hersteller: YJ/MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: DO-41
Vrr, V: 1000
Iav, A: 1
Trr, ns: 75
Austauschbar:: UF4001, UF4002, UF4003, UF4004, UF4005, UF4006, STTH110, MUR140, MUR160, HER107, HER108
ZCODE: 8541 10 00 10
verfügbar: 3473 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.5 EUR
10+ 0.45 EUR
100+ 0.2 EUR
2SC2655 (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 22580
2SC2655.pdf
2SC2655 (Bipolartransistor NPN)
Hersteller: Toshiba
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-92
fT: 100 MHz
Uceo,V: 50
Ucbo,V: 50
Ic,A: 2
h21: 240
ZCODE: THT
verfügbar: 360 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.13 EUR
10+ 0.11 EUR
HFA08TB120PBF
Produktcode: 175454
HFA08TB120PBF
Hersteller: IR
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: TO-220AC
Vrr, V: 1200 V
Iav, A: 8 A
Trr, ns: 95ns
auf Bestellung 268 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1N4148W
Produktcode: 176823
datasheet-1n4148w.pdf
1N4148W
Hersteller: JINGDAO
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: SOD-123
Urev.,V: 75 V
Iausricht.,А: 0,15 A
Beschreibung: імпульсний
Монтаж: SMD
Падіння напруги Vf: 1 V
auf Bestellung 7057 Stück:
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