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MUR1100ERLG

MUR1100ERLG ON Semiconductor

mur180e-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Diode Switching 1KV 1A 2-Pin DO-41 T/R
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Technische Details MUR1100ERLG ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MUR1100ERLG - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 1 A, Einfach, 1.75 V, 100 ns, 35 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL), Durchlassstoßstrom: 35A, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1.75V, Sperrverzögerungszeit: 100ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: MUR11, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

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MUR1100ERLG MUR1100ERLG Hersteller : ON Semiconductor mur180e-d.pdf Diode Switching 1KV 1A 2-Pin DO-41 T/R
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MUR1100ERLG MUR1100ERLG Hersteller : onsemi mur180e-d.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Axial
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
auf Bestellung 1500 Stücke:
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21+0.84 EUR
25+ 0.72 EUR
100+ 0.5 EUR
500+ 0.39 EUR
1000+ 0.32 EUR
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MUR1100ERLG MUR1100ERLG Hersteller : onsemi MUR180E_D-2316249.pdf Rectifiers 1000V 1A UltraFast
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3+1.1 EUR
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100+ 0.65 EUR
500+ 0.55 EUR
1000+ 0.42 EUR
5000+ 0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 3
MUR1100ERLG MUR1100ERLG Hersteller : ONSEMI 1708323.pdf Description: ONSEMI - MUR1100ERLG - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 1 A, Einfach, 1.75 V, 100 ns, 35 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Durchlassstoßstrom: 35A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.75V
Sperrverzögerungszeit: 100ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MUR11
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
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MUR1100ERLG Hersteller : ON Semiconductor mur180e-d.pdf Випрямний ультрашвидкий діод вивідний; Uзвор, В = 1 000; Io, А = 1; Uf (max), В = 1,75; If, A = 1; I, мкА @ Ur, В = 10 @ 1000; trr, нс = 100; Тексп, °C = -65...+175; DO-41
auf Bestellung 869 Stücke:
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6+1.23 EUR
10+ 1.02 EUR
100+ 0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 6
MUR1100ERLG MUR1100ERLG
Produktcode: 31325 		Hersteller : ON mur180e-d.pdf Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: DO-35
Vrr, V: 1000
Iav, A: 1
Trr, ns: 75
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MUR1100ERLG MUR1100ERLG Hersteller : ON Semiconductor mur180e-d.pdf Rectifier Diode Switching 1KV 1A 100ns 2-Pin DO-41 T/R
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MUR1100ERLG MUR1100ERLG Hersteller : ON Semiconductor mur180e-d.pdf Rectifier Diode Switching 1KV 1A 100ns 2-Pin DO-41 T/R
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MUR1100ERLG MUR1100ERLG Hersteller : ON Semiconductor mur180e-d.pdf Diode Switching 1KV 1A 2-Pin DO-41 T/R
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MUR1100ERLG MUR1100ERLG Hersteller : ONSEMI MUR1100ERLG.PDF Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 1A; reel,tape; Ifsm: 35A; CASE59; 75ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Case: CASE59
Max. forward impulse current: 35A
Reverse recovery time: 75ns
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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MUR1100ERLG MUR1100ERLG Hersteller : onsemi mur180e-d.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Axial
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
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MUR1100ERLG MUR1100ERLG Hersteller : ONSEMI MUR1100ERLG.PDF Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 1A; reel,tape; Ifsm: 35A; CASE59; 75ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Case: CASE59
Max. forward impulse current: 35A
Reverse recovery time: 75ns
Kind of package: reel; tape
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