Produkte > ONSEMI > MUN5336DW1T1G
MUN5336DW1T1G

MUN5336DW1T1G onsemi


dtc115ep-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN/PNP BJT SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 100kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 100kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3000+0.062 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details MUN5336DW1T1G onsemi

Description: TRANS NPN/PNP BJT SC70-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 250mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V, Resistor - Base (R1): 100kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 100kOhms, Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363, Part Status: Active.

Weitere Produktangebote MUN5336DW1T1G nach Preis ab 0.062 EUR bis 0.52 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
MUN5336DW1T1G MUN5336DW1T1G Hersteller : onsemi dtc115ep-d.pdf Description: TRANS NPN/PNP BJT SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 100kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 100kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
auf Bestellung 5922 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
48+0.37 EUR
70+ 0.25 EUR
143+ 0.12 EUR
500+ 0.1 EUR
1000+ 0.072 EUR
Mindestbestellmenge: 48
MUN5336DW1T1G Hersteller : onsemi DTC115EP_D-2311112.pdf Digital Transistors Complementary NPN+PNP Bipolar Digital Transistor (BRT)
auf Bestellung 3653 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
6+0.52 EUR
10+ 0.36 EUR
100+ 0.15 EUR
1000+ 0.1 EUR
3000+ 0.081 EUR
9000+ 0.067 EUR
24000+ 0.062 EUR
Mindestbestellmenge: 6
MUN5336DW1T1G Hersteller : ON Semiconductor dtc115ep-d.pdf
auf Bestellung 297000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN5336DW1T1G Hersteller : ON Semiconductor DTC115EP_D-1803608.pdf Bipolar Transistors - Pre-Biased COMPLEMENTARY DIGITAL TRANSISTORS (BRT'S)
auf Bestellung 32690 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
MUN5336DW1T1G MUN5336DW1T1G Hersteller : ON Semiconductor dtc115ep-d.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
Produkt ist nicht verfügbar