Produkte > ONSEMI > MUN5216T1G
MUN5216T1G

MUN5216T1G onsemi

dtc143t-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3000+0.075 EUR
6000+ 0.07 EUR
9000+ 0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details MUN5216T1G onsemi

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V, Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323), Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 202 mW, Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms.

Weitere Produktangebote MUN5216T1G nach Preis ab 0.051 EUR bis 0.44 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
MUN5216T1G MUN5216T1G Hersteller : onsemi DTC143T_D-2310749.pdf Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT NPN
auf Bestellung 5517 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
7+0.41 EUR
10+ 0.34 EUR
100+ 0.18 EUR
500+ 0.12 EUR
1000+ 0.081 EUR
3000+ 0.07 EUR
9000+ 0.051 EUR
Mindestbestellmenge: 7
MUN5216T1G MUN5216T1G Hersteller : onsemi dtc143t-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
auf Bestellung 16500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
40+0.44 EUR
58+ 0.31 EUR
118+ 0.15 EUR
500+ 0.12 EUR
1000+ 0.087 EUR
Mindestbestellmenge: 40
MUN5216T1G dtc143t-d.pdf
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MUN5216T1G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0002241980-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - MUN5216T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 352320 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MUN5216T1G MUN5216T1G Hersteller : ON Semiconductor mun5211t1-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
MUN5216T1G MUN5216T1G Hersteller : ON Semiconductor mun5211t1-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
Produkt ist nicht verfügbar