MUN5215DW1T1G ON Semiconductor
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Technische Details MUN5215DW1T1G ON Semiconductor
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 250mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V, Resistor - Base (R1): 10kOhms, Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363.
Weitere Produktangebote MUN5215DW1T1G nach Preis ab 0.042 EUR bis 0.53 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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MUN5215DW1T1G | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R |
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MUN5215DW1T1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R |
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MUN5215DW1T1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R |
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MUN5215DW1T1G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 10kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 |
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MUN5215DW1T1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R |
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MUN5215DW1T1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R |
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MUN5215DW1T1G | Hersteller : onsemi |
Digital Transistors SS BR XSTR NPN 50V |
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MUN5215DW1T1G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 10kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 |
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MUN5215DW1T1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R |
auf Bestellung 27000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MUN5215DW1T1G |
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auf Bestellung 3500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |