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Technische Details MUBW35-12A7 Littelfuse
Description: IGBT MODULE 1200V 50A 225W E2, Packaging: Box, Package / Case: E2, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Three Phase Bridge Rectifier, Configuration: Three Phase Inverter with Brake, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 35A, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: E2, IGBT Type: NPT, Current - Collector (Ic) (Max): 50 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 225 W, Current - Collector Cutoff (Max): 1.1 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.65 nF @ 25 V.
Weitere Produktangebote MUBW35-12A7 nach Preis ab 206.23 EUR bis 206.23 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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MUBW35-12A7 | Hersteller : Littelfuse |
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MUBW35-12A7 | Hersteller : Littelfuse |
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MUBW35-12A7 | Hersteller : Littelfuse |
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MUBW35-12A7 | Hersteller : Littelfuse |
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MUBW35-12A7 | Hersteller : IXYS |
![]() Packaging: Box Package / Case: E2 Mounting Type: Chassis Mount Input: Three Phase Bridge Rectifier Configuration: Three Phase Inverter with Brake Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 35A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: E2 IGBT Type: NPT Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 225 W Current - Collector Cutoff (Max): 1.1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.65 nF @ 25 V |
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MUBW35-12A7 | Hersteller : IXYS |
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MUBW35-12A7 | Hersteller : IXYS |
![]() Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; 225W Type of module: IGBT Semiconductor structure: diode/transistor Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 35A Case: E2-Pack Application: motors Electrical mounting: Press-in PCB Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 70A Power dissipation: 225W Technology: NPT Mechanical mounting: screw |
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