MTB29N15ET4 onsemi
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Technische Details MTB29N15ET4 onsemi
Description: ONSEMI - MTB29N15ET4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 29 A, 0.054 ohm, D2PAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 29A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: D2PAK, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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| MTB29N15ET4 | Hersteller : ON |
 TO263 |
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| MTB29N15ET4 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MTB29N15ET4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 29 A, 0.054 ohm, D2PAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 29A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: D2PAK Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
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