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MT53E256M32D2FW-046 AUT:B MICRON
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Description: MICRON - MT53E256M32D2FW-046 AUT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 8 Gbit, 256M x 32 Bit, 2.133 GHz, TFBGA, 200 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
Bauform - Speicherbaustein: TFBGA
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
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DRAM-Dichte: 8Gbit
IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA
Speicherdichte: 8Gbit
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Zugriffszeit: 468ps
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 2.133GHz
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Taktfrequenz: 2.133GHz
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: PW Series
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Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 256M x 32 Bit
Speicherkonfiguration DRAM: 256M x 32 bit
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
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Technische Details MT53E256M32D2FW-046 AUT:B MICRON
Description: MICRON - MT53E256M32D2FW-046 AUT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 8 Gbit, 256M x 32 Bit, 2.133 GHz, TFBGA, 200 Pin(s), tariffCode: 85423239, DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4, Bauform - Speicherbaustein: TFBGA, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DRAM-Dichte: 8Gbit, IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA, Speicherdichte: 8Gbit, usEccn: EAR99, Zugriffszeit: 468ps, Versorgungsspannung, nom.: 1.1V, Taktfrequenz, max.: 2.133GHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Taktfrequenz: 2.133GHz, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 200Pin(s), Produktpalette: PW Series, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 125°C, Speicherkonfiguration: 256M x 32 Bit, Speicherkonfiguration DRAM: 256M x 32 bit, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote MT53E256M32D2FW-046 AUT:B
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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MT53E256M32D2FW-046 AUT:B | Hersteller : Micron Technology |
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Produkt ist nicht verfügbar |
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MT53E256M32D2FW-046 AUT:B | Hersteller : Micron Technology Inc. |
![]() Packaging: Box Package / Case: 200-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 8Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TC) Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4 Clock Frequency: 2.133 GHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5) Grade: Automotive Write Cycle Time - Word, Page: 18ns Memory Interface: Parallel Access Time: 3.5 ns Memory Organization: 256M x 32 DigiKey Programmable: Not Verified Qualification: AEC-Q100 |
Produkt ist nicht verfügbar |