![MT53E256M32D2DS-053 WT:B MT53E256M32D2DS-053 WT:B](https://www.mouser.com/images/micron/lrg/VFBGA_200_SPL.jpg)
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Technische Details MT53E256M32D2DS-053 WT:B Micron
Description: MICRON - MT53E256M32D2DS-053 WT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 8 Gbit, 256M x 32 Bit, 1.866 GHz, WFBGA, 200 Pin(s), tariffCode: 85423239, DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA, Speicherdichte: 8Gbit, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, nom.: 1.1V, Taktfrequenz, max.: 1.866GHz, Betriebstemperatur, min.: -30°C, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 200Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 256M x 32 Bit, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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MT53E256M32D2DS-053 WT:B | Hersteller : MICRON |
![]() tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA Speicherdichte: 8Gbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.1V Taktfrequenz, max.: 1.866GHz Betriebstemperatur, min.: -30°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 200Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 256M x 32 Bit SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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MT53E256M32D2DS-053 WT:B | Hersteller : Micron Technology |
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MT53E256M32D2DS-053 WT:B | Hersteller : MICRON |
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