MT53E256M32D2DS-046 AUT:B MICRON
Hersteller: MICRON
Description: MICRON - MT53E256M32D2DS-046 AUT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 8 Gbit, 256M x 32 Bit, 2.133 GHz, WFBGA, 200 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
Bauform - Speicherbaustein: WFBGA
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DRAM-Dichte: 8Gbit
IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA
Speicherdichte: 8Gbit
usEccn: EAR99
Zugriffszeit: 468ps
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 2.133GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Taktfrequenz: 2.133GHz
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 256M x 32 Bit
Speicherkonfiguration DRAM: 256M x 32 bit
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: MICRON - MT53E256M32D2DS-046 AUT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 8 Gbit, 256M x 32 Bit, 2.133 GHz, WFBGA, 200 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
Bauform - Speicherbaustein: WFBGA
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DRAM-Dichte: 8Gbit
IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA
Speicherdichte: 8Gbit
usEccn: EAR99
Zugriffszeit: 468ps
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 2.133GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Taktfrequenz: 2.133GHz
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 256M x 32 Bit
Speicherkonfiguration DRAM: 256M x 32 bit
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 580 Stücke:
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Technische Details MT53E256M32D2DS-046 AUT:B MICRON
Description: MICRON - MT53E256M32D2DS-046 AUT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 8 Gbit, 256M x 32 Bit, 2.133 GHz, WFBGA, 200 Pin(s), tariffCode: 85423239, DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4, Bauform - Speicherbaustein: WFBGA, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DRAM-Dichte: 8Gbit, IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA, Speicherdichte: 8Gbit, usEccn: EAR99, Zugriffszeit: 468ps, Versorgungsspannung, nom.: 1.1V, Taktfrequenz, max.: 2.133GHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Taktfrequenz: 2.133GHz, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 200Pin(s), Produktpalette: PW Series, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 125°C, Speicherkonfiguration: 256M x 32 Bit, Speicherkonfiguration DRAM: 256M x 32 bit, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote MT53E256M32D2DS-046 AUT:B
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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MT53E256M32D2DS-046 AUT:B | Hersteller : Micron Technology | DRAM Chip Mobile LPDDR4 SDRAM 8Gbit 256Mx32 Automotive AEC-Q100 200-Pin WFBGA Tray |
Produkt ist nicht verfügbar |
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MT53E256M32D2DS-046 AUT:B | Hersteller : Micron Technology Inc. | Description: IC DRAM LPDDR4 WFBGA |
Produkt ist nicht verfügbar |
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MT53E256M32D2DS-046 AUT:B | Hersteller : Micron | DRAM DRAM LPDDR4 256MX32 WFBGA AUT |
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