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MT53E256M16D1FW-046 WT:B

MT53E256M16D1FW-046 WT:B MICRON

MICT-S-A0017465181-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Hersteller: MICRON
Description: MICRON - MT53E256M16D1FW-046 WT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 4 Gbit, 256M x 16 Bit, 2.133 GHz, TFBGA, 200 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
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IC-Montage: Oberflächenmontage
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Speicherdichte: 4Gbit
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Speicherkonfiguration: 256M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
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Technische Details MT53E256M16D1FW-046 WT:B MICRON

Description: MICRON - MT53E256M16D1FW-046 WT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 4 Gbit, 256M x 16 Bit, 2.133 GHz, TFBGA, 200 Pin(s), tariffCode: 85423239, DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA, Speicherdichte: 4Gbit, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, nom.: 1.1V, Taktfrequenz, max.: 2.133GHz, Betriebstemperatur, min.: -25°C, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 200Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 256M x 16 Bit, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).

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MT53E256M16D1FW-046 WT:B Hersteller : Micron Technology pgurl_mic_286230766677807637.pdf LPDRAM Memory
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