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MT53D512M16D1DS-046 WT:D

MT53D512M16D1DS-046 WT:D Micron Technology Inc.

200b_z11m_non_auto_lpddr4_lpddr4x.pdf?rev=385d650bf2844e6a94546e9d2dc72c31 Hersteller: Micron Technology Inc.
Description: IC DRAM 8GBIT 2.133GHZ 200WFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 200-WFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -30°C ~ 85°C (TC)
Voltage - Supply: 1.1V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4
Clock Frequency: 2.133 GHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 200-WFBGA (10x14.5)
Part Status: Active
Memory Organization: 512M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
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Technische Details MT53D512M16D1DS-046 WT:D Micron Technology Inc.

Description: MICRON - MT53D512M16D1DS-046 WT:D - DRAM, LPDDR4, 8GB, 512M x 16 Bit, 2.133GHz, WFBGA, 200 Pins, tariffCode: 85423239, DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA, Speicherdichte: 8Gbit, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, nom.: 1.1V, Taktfrequenz, max.: 2.133GHz, Betriebstemperatur, min.: -25°C, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 200Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 512M x 16 Bit, SVHC: Boric acid (14-Jun-2023).

Weitere Produktangebote MT53D512M16D1DS-046 WT:D nach Preis ab 11.79 EUR bis 16.33 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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MT53D512M16D1DS-046 WT:D MT53D512M16D1DS-046 WT:D Hersteller : Micron 200b_z11m_non_auto_lpddr4_lpddr4x-3077547.pdf DRAM LPDDR4 8G 512MX16 FBGA Z11M
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MT53D512M16D1DS-046 WT:D MT53D512M16D1DS-046 WT:D Hersteller : MICRON 200b_z11m_non_auto_lpddr4_lpddr4x.pdf?rev=385d650bf2844e6a94546e9d2dc72c31 Description: MICRON - MT53D512M16D1DS-046 WT:D - DRAM, LPDDR4, 8GB, 512M x 16 Bit, 2.133GHz, WFBGA, 200 Pins
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA
Speicherdichte: 8Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 2.133GHz
Betriebstemperatur, min.: -25°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 512M x 16 Bit
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
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MT53D512M16D1DS-046 WT:D Hersteller : Micron Technology pgurl_9558400913308952.pdf DRAM Chip Mobile LPDDR4 SDRAM 8Gbit 512Mx16
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